容量(GB):1TB
NANDフラッシュメモリ:64-layer, QLC, Intel 3D NAND
シーケンシャルリード:最大1800MB / s、シーケンシャルライト:最大1800MB / s
ランダム4KBリード:最大220,000 IOPS、ランダム4KBライト:最大220,00 IOPS
インタフェース:PCIe * 3.0×4、NVMe *
フォームファクタ:80mm M.2 2280 / 外形寸法W22×D80mm、重量10g
消費電力:Active 100mW, Idle 40mW
動作温度:0℃〜70℃
INTEL 3D NAND技術を搭載 インテル®SSD660Pシリーズ SSDPEKNW010T8X1

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